LIGBT相关论文
作为单片智能功率芯片的核心功率器件,绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管（Silicon-On-Insulator Lateral Insulated Gate Bipolar T......
本文提出一种新型横向绝缘栅双极晶体管／横向扩散ＭＯＳ混合晶体管（ＬＩＧＢＴ／ＬＤＭＯＳ），在有非平衡电子抽出下截止瞬态响应的电荷控制模型，由考虑非准静态效应的......
围绕传统型横向高压器件ＬＩＧＢＴ存在的关断时间较长和闩锁电流密度较小等缺点，本文对近年来提出的一系列新型结构的ＬＩＧＢＴ作了较系统的分析与对比......
给出了横向高压器件ＬＤＭＯＳ、ＬＩＧＢＴ以及具有阳极短路结构的ＬＩＧＢＴ的输出特性、开关特性及耐压特性等模拟曲线，并对这三种器件的结构和性能进行了较系统......
提出一种利用浅槽隔离(STI)技术的超薄顶硅层绝缘体上硅(SOI)基新颖阳极快速横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT),简称STI-SOI-LIGBT。......
介绍了一种可降低多通道输出功率芯片电磁辐射的设计方法。该功率芯片具有96个独立的输出通道,对芯片的高压总供电和单路输出通道......
针对传统LIGBT存在导通电压较高,导通电阻较大等问题,本文提出了一种新型的载流子储存槽栅横向IGBT(Carrier-Storage Trench-gate ......
本文提出了一种SOI基于槽栅LIGBT结构，它的栅电极没有位于阳极与阴极之间。基于此创新，发现新结构器件比旧结构器件展现出了巨大的优......
提出了空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管( C I? L I G B T),它可以有效地控制高压下阳极区空穴注入,提高器件的闭锁电压.通过对......
该文讨论了一种以SiGe合金层为阳极区材料的窄禁带阳极新型横向绝缘栅双极型昌休管(SiGe-Anode-LIGBT).文章首先对P+SiGe/N-Si异质......
介绍了一种利用高介电常数薄膜改进的、制作于绝缘衬底上的横向绝缘栅双极型晶体管(SOI-LIGBT).一方面,覆盖在硅表面的高介电常数......
该文系统研究了基本耐压结构,提出了新结构,建立了电势和电场分布,以及击穿电压的析模型,使用SIMOX材料设计并制造了两种薄膜SOI功......
目前,横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)己成为功率集成电路(PIC)领域最有潜力的器件之一。然而,硅材料功率器件的特性己逐渐达到......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
简介了减薄漂移区多沟道SOILIGBT结构雏形,根据先进VLSI工艺调研结果讨论了减薄漂移区新型微结构的可实现性,提出了可能实现的三种......
提出了一种新结构薄膜SOI LIGBT－漂移区减薄的多沟道薄膜SOI LIGBT（DRTMC TFSOI LIGB）。主要研究了其低压态泄漏电流在423－573K范围......
提出了空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管（ＣＩ－ＬＩＧＢＴ），它可以有效地控制高压下阳极区穴穴注入，提高器件的闭锁电压。通过对阳极区反偏ｐ＾＋ｎ＾＋结 穿电......
采用数值模拟分析了双降场层ＳＯＩ－ＬＩＧＢＴ击穿电压与ＳＯＩ层厚度和隔离ＳｉＯ２层厚度的关系，分析了阳极短路面积比对器件正向压降，关断时间和正向转折电压的影......
本文提出空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管 (CI LIGBT) ,可有效控制高压下阳极区空穴注入 ,提高器件的抗闩锁性能 .数值模拟与......
简介了减薄漂移区多沟道SOI LIGBT结构雏形，根据先进VLSI工艺调研结果讨论了减薄漂移区新型微结构的可实现性。提出了可能实现的三......
给出了横向高压器件ＬＤＭＯＳ、ＬＩＧＢＴ以及具有阳极短路结构的ＬＩＧＢＴ的输出特性、开关特性及耐压特性模拟曲线，并对这三种器件的结构和性能进行了较系统的......
提出了一种采用低能量大剂量He离子注入局域寿命控制的高速LIGBT，并对其进行了实验研究．粒子辐照实验结果显示与常规的LIGBT相比较，该......
提出了一种新型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管（SOI-LIGBT），该晶体管在沟道下方的 P 型体区旁增加了一个特殊的低掺杂 P 型阱区，在......
作为电力电子技术的核心,功率半导体器件在电能的控制、变换和调节中有着至关重要的作用。横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insula......
围绕传统型横向高压器件ＬＩＧＢＴ存在的关断时间较长和闩锁电流密度较小等缺点，本文对近年来提出的一系列新型结构的ＬＩＧＢＴ作为较系统的分析与对比......
介绍了基于共享Buffer技术的SOI（绝缘体上硅）LIGBT和PLDMOS,相对于传统工艺可以节约2层光刻板和2步工艺流程。主要通过研究在器件漏......
横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor,简称LIGBT)具有导通电压低、输入阻抗高、电流能力强、耐压......
A novel 600 V snapback-free high-speed silicon-on-insulator lateral insulated gate bipolar transistor is proposed and in......
电力电子技术是国家安全领域和国民经济的重要支撑技术。它将一种形式的电能高效地转换成另外一种形式的电能,从而满足应用于各种......
PDP作为目前市场上主流的平板显示器，具有显示效果好、寿命长、视角广、响应快等优点。但是其行扫描驱动电路中高压功率器件的设计......
LIGBT作为一类重要的栅控双极功率器件,既具有MOSFET的控制功率小、输入阻抗高、驱动电路简单、开关速度高的优点,又有双极型功率......
绝缘栅双极晶体管IGBT (Insulator Gate Bipolar Transistor)是MOS栅器件结构与双极晶体管结构相结合进化而成的复合型功率器件,具......
PDP(Plasma Display Panel:等离子体显示平板)作为新一代显示技术,以其响应速度快,宽屏显示及图像分辨率高等优点,成为显示技术领......
